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はんだバンプとフリップチップボンディングー後工程半導体プロセス

はんだバンプ通称マイクロバンプとその未来と歴史半導体後工程プロセスについて、書きます。

2/24/20251 分読む

1996年代にIBM社は鉛なしのC4バンプを発明しました。でも、そのはるか前にはじめてのフリップチップデバイスはバンプを使用する初めては１９６４年、IBM３６０Model４０パソコン

IMAPS Device Packaging Conference 2011 March, 2011により：

三つの銅のボール、３５０マイクロンバンプでした（C2）。現在最も優れている技術では、４０マイクロン以下のピッチ（バンプとバンプとの間）とサイズは２５マイクロンです。昔の技術の話に戻ると、PbSnのはんだを使っていた。ワイヤーボンドから変わってて、なぜなら、その昔で人が顕微鏡に通じてワイヤボンドを人の手でアラインメントしました。バンプなら、もっと強いです。左下の写真はIBMでその当時のパソコン写真。トランジスタとメモリー部分。

軽く他の歴史をふると、C4を７０年代から使い始めて、日立社は１９８１年代に電解メッキプロセスを使うバンプの論文を発表。使っていた金属はチタン、ニッケルと銅。現在とバンプと一致している材料です。１９８４年に日立はアンダーフィルをフリップチップのセラミックの信頼性のために発明。バンプの間にアンダーフィルの材料は投入されます。時間と共に、バンプのピッチは徐々に進化しました。２０１１インテルが３２ナノのプロセスノードの図は下に表示してます。